компьютерный форум
Вернуться   Компьютерный форум > Компьютерный форум > Модернизация и самоделки

Ответ
 
LinkBack Опции темы Опции просмотра
Старый 29.07.2004, 07:12   #1
Пользователи
 
Регистрация: 18.04.2004
Сообщений: 331
По умолчанию

В данном FAQ'е описывается лишь DDR SDRAM, а также освещаются отдельные вопросы, касающиеся SDR SDRAM. Память "не SDRAM" (RDRAM, EDO DRAM, FP DRAM, etc.) тут не обсуждается.


Как разогнать оперативную память?
Существуют два способа – увеличить частоту и уменьшить тайминги. Зачастую улучшение одного параметра даётся ценой ухудшения другого, а значит – приходится искать "золотую середину".

Как увеличить частоту оперативной памяти?
Увеличить частоту FSB и/или изменить делитель FSB:memory. Данные параметры выставляются в BIOS'е.

Если я выставлю делитель 1:1, то у меня FSB и память будут работать на одной частоте, то есть будут синхронны?
Да. Другое дело, что для разных процессоров разные частоты памяти считаются "родными". Для процессоров Intel "нормальными" считаются следующие сочетания: 100:133, 133:166 и 200:200, то есть "младшие" процессоры семейства Р4 предпочитают асинхронную работу с памятью. Для AMD на чипсетах NForce – лучше синхронная работа. А вот для связки "AMD+VIA" всё очень неоднозначно...
Кроме того – на системах с процессором AMD частота памяти выставляется в процентах от FSB: например – 50%, 60%, 66%, 75%, 80%, 83%, 100%, 120%, 125%, 133%, 150%, 166% или 200%. По сути – тот же делитель, но представлен чуть по-другому.

С делителями AMD понятно. Какие бывают делители у Intel?
Обычно 1:1, 4:3, 5:4.

Я в BIOS'е поставил 333 МГц, а CPU-Z показывает "Memory frequency" 166 МГц. Почему?
Потому что 333 - это "эффективная" частота, а не реальная. Подробное обяснение - в следующем вопросе.

Неужели при синхронной работе частота памяти достигает 400 МГц?
Нет. DDR SDRAM (Double Data Rate или Dual Data Rate SDRAM) – тип SDRAM, в котором данные передаются по обоим фронтам синхросигнала, что позволяет при той же частоте тактирования передавать в два раза больше данных по сравнению с SDR SDRAM. Других принципиальных отличий от SDR SDRAM нет. Частота может быть любая в пределах возможностей техпроцесса изготовления (обычно – 133, 166, 200, 250 МГц). Как правило, в обозначениях указывается "эффективная частота", то есть – такая частота, которая потребовалась бы "обычной" (SDR) SDRAM для того, чтобы передавать данные с такой же скоростью. То есть "эффективная частота" DDR – суть рейтинг, очередной маркетинговый ход. (Например, PC133 и DDR266 работают на одной частоте – 133 МГц.)

Что такое "PC2100"? На частоту не похоже... Она быстрее DDR400? Существует два типа обозначений для одной и той же памяти: одно - по "эффективной" частоте (DDRxxx), а второе - по теоретической пропускной способности (PCxxxx).
Обозначение "DDRxxx" исторически развилось из последовательности названий стандартов "PC66-PC100-PC133" - когда было принято скорость памяти ассоциировать с частотой (разве что ввели аббревиатуру "DDR" для того, чтобы отличать SDR SDRAM от DDR SDRAM). Одновременно с памятью DDR SDRAM появилась память RDRAM ("Rambus"), на которой хитрые маркетологи решили ставить не частоту, а пропускную способность - PC800. При этом ширина шины данных как была 64 бита (8 байт) - так и осталась, то есть те самые PC800 (800 МБ/с) получались умножением 100 МГц на 8 байт. Естественно, от названия ничего не изменилось, и PC800 RDRAM - суть та же самая PC100 SDRAM, только в другом корпусе... Но ведь обозначение "PC800" выглядит круче, чем "PC100"! А суть... Кого волнует суть, когда впаривают фуфло лохам? И авторам DDR SDRAM ничего не оставалось, как ответить на эти уродские выпады тем же - начать писАть на своих модулях "PCxxxx". Так появились PC1600, PC2100 и другие... При этом у DDR SDRAM "эффективная" частота была выше в два раза, а значит - и больше числа на обозначениях, так что Rambus села в лужу, а точнее - свалилась в яму, которую сама и выкопала... А мы вынуждены мучиться с двойной системой обозначений и платить из своего кармана за бои в войне стандартов.

Соответствия:
100 МГц - PC1600 DDR SDRAM - PC100 SDRAM - PC800 RDRAM
133 МГц - PC2100 DDR SDRAM - DDR266 SDRAM - PC133 SDRAM - PC1066 RDRAM
166 МГц - PC2700 DDR SDRAM - DDR333 SDRAM - PC166 SDRAM
200 МГц - PC3200 DDR SDRAM - DDR400 SDRAM
216 МГц - PC3500 DDR SDRAM - DDR433 SDRAM
233 МГц - PC3700 DDR SDRAM - DDR466 SDRAM
250 МГц - PC4000 DDR SDRAM - DDR500 SDRAM

(Подробнее о Rambus'е - http://deeppvo.narod.ru/data/rambus.htm)

Что такое тайминги?
Тайминги – это задержки между отдельными операциями, производимыми контроллером при обращении к памяти.
Логически всё пространство памяти представлено как множество ячеек, выстроенных "прямоугольниками", состоящими из определённого количества строк и столбцов. Один такой "прямоугольник" называется страницей, а совокупность страниц называется банком.
Для того, чтобы обратиться к ячейке, контроллер должен задать номер банка, номер страницы в нём, номер строки и номер столбца. Кроме того, время тратится на "открытие/закрытие" банка и на саму операцию чтения/записи. На каждое такое действие требуется время, которое и называется таймингом.
Некоторые тайминги нам недоступны для настройки, например – время выставления CS# (Crystal Select; по этому сигналу выбирается кристалл (чип) на модуле, с которым будет производиться операция), некоторые – можно менять. Вот те, что обычно доступны:
RAS-to-CAS Delay (RCD) – задержка между сигналами RAS# и CAS#. Необходима для того, чтобы было достаточно времени для однозначного определения строки и столбца адреса ячейки. Иными словами, данный параметр характеризует интервал между выставлением на шину контроллером памяти сигналов RAS# и CAS#.
RAS# (Row Address Srobe) и CAS# (Column Address Strobe) – сигналы, подтверждающие выставление на шину двух составляющих адреса ячейки – строки и столбца соответственно.
CAS Latency (CL) – задержка между командой чтения и доступностью к чтению первого слова. Введена для набора адресными регистрами гарантированно устойчивого уровня сигнала.
RAS Precharge (RP) – время повторной выдачи (период накопления заряда, подзаряд) сигнала RAS#, то есть – через какое время контроллер памяти будет способен снова выдать сигнал инициализации адреса строки.
Примечание: порядок операций именно таков (RCD-CL-RP), но зачастую тайминги записывают не по порядку, а по "важности" –CL-RCD-RP (или даже CL-RP-RCD).
Precharge Delay (или Active Precharge Delay; чаще обозначается как Tras) – время активности строки. То есть – период, в течение которого "закрывается" строка, если следующая требуемая ячейка находится в другой строке.
Подробная временнАя диаграмма доступна по адресу: http://www.toms-hardware.ru/howto/20030703...uning-08.html#_
SDRAM Idle Timer (или SDRAM Idle Cycle Limit) – количество тактов, в течение которого страница может оставаться открытой, после чего следует её принудительное закрытие (для доступа к другой странице или операции обновления содержимого).
Для произвольных обращений в память бОльшую пользу приносит использование частого закрытия страниц (чем быстрее закроется одна страница, тем быстрее возможен доступ в другую), тогда как для операций "сплошных" чтения-записи выгоднее дольше держать страницу открытой.
Burst Length - параметр, который позволяет установить размер предвыборки памяти относительно начального адреса обращения. Чем больше размер предвыборки, тем выше производительность памяти. (Источник информации - Carlsson)

Можно ли что-то ещё настраивать в BIOS'е для увеличения производительности?
Да. Подробности – в справочнике "Полные настройки BIOS": http://www.3dnews.ru/reviews/mainsystem/bios/
Кое-что ещё о BIOS: http://bazilic.ru/bios/bios1.htm

Есть мнение, что для Intel'а важнее тайминги, тогда как для AMD – частота. В частности, ALT-F13 (гуру с www.ModLabs.net) утверждает: "Лучший вариант для Intel – самые агрессивные тайминги. Настолько, что асинхрон с 2-5-2-2 рулит синхрон с 2.5-7-3-3 при любом FSB (то есть – 280 3-7-3-3 при 1:1 хуже, чем 230 2-5-2-2 при 5:4)".
При этом не стОит забывать, что для AMD чаще всего частота памяти важна не абы какая, а достигаемая в синхронном режиме.

Я немного увеличил частоту (или уменьшил тайминги), но дальше память разгоняться отказывается. Что делать?
Увеличить напряжение на оперативной памяти.

Как увеличить напряжение на памяти?
В небольших пределах оно меняется из BIOS'а материнской платы. Чтобы изменить больше, чем позволяет материнская плата – надо сделать ей вольтмод.
Насколько безопасно увеличивать напряжение на памяти?
При номинале 2.5 В большинство материнских плат позволяют выставлять до 2.8-3.0 В; при этом начиная с 2.8 В некоторые материнские платы начинают предупреждать пользователя об "опасном пороге" напряжения на памяти, но работают при этом исправно.
У большинства оверклокеров разогнанная память "живёт" в диапазоне 2.8-3.0 В. У вольтмоддеров-экстремалов – может и за 3.2 В зашкаливать.
Думаю, что выражу мнение большинства оверклокеров, если скажу, что 2.9 В - та самая "опасная" граница...
Главное при повышении напряжения (на любом компоненте, не только на памяти) – контролировать тепловыделение, и при его повышении – немедленно охлаждать разогнанный компонент.
Если вы не можете без боли от ожога дотронуться до компонента компьютера - его надо срочно охладжать! И тем более - ни в коем случае не повышать напряжение на нём без организации охлаждения! Если компонент горячий - руку держать можно, но через силу - то охлаждение ему не помешает (хотя и не обязательно), а вот напряжение повышать опять же нельзя! И только если чувствуете, что он "чуть тёплый" или вообще холодный - лишь тогда можно увеличивать напряжение.
То есть - всё по-прежнему оценивается "на глазок". И дело тут не в том, что мы не знаем допустимых границ или такие ленивые, что не можем померить, а в том, что модули все разные... Ведь в этом суть процессса разгона - добиться максимума производительности при условии, что он заранее неизвестен.

Я купил DDR433, а на ней автоматически ставится напряжение 2.7 В вместо 2.5 В. Меня обманули?
Нет. Напряжение 2.7 В может прошиваться в SPD производителем памяти, если она уже разогнана им на фабрике. DDR433 не является стандартом, что мы и наблюдаем в данном случае. Это – память, "разогнанная добрым дядей за нас".

Что такое SPD?
SPD (Serial Presence Detect) – маленькая микросхема на модуле памяти, в которую записаны все параметры, необходимые для работы модуля (частота, тайминги...). В последнее время в SPD стали добавлять информацию о производителе, дате производства и тому подобную.
Более полная информация об SPD – http://ixbt.com/mainboard/spd.shtml

У меня была DDR333, которая разгонялась до DDR400 (20% разгона); я купил DDR433 того же производителя, рассчитывая разогнать её хотя бы до DDR500 (15% разгона), но она не завелась даже на 440. Почему?
Как правило – чем выше номинальная частота памяти, тем ближе она к потенциальному "потолку" разгона для нынешней технологии изготовления SDRAM. В данном случае – из памяти уже "выжали" всё, что могли.

Насколько объём памяти влияет на разгон?
Сам по себе объём влияет лишь на быстродействие компьютера в целом – чем больше памяти, тем меньше вероятность свопирования (swaping), а значит – задержек. Но при достижении некоторого порога система практически перестаёт пользоваться свопом, то есть увеличение объёма памяти уже не приносит выигрыша в производительности.
На разгон больше влияет не общий объём, а количество модулей памяти, количество чипов на них и количество банков. При определённых значениях данных величин контроллер перегружается и начинает работать медленнее или с ошибками. Для решения проблемы ненадёжности контроллера при больших объёмах памяти применяется так называемая Registered память.

Можно ли вставлять SDR SDRAM в слоты для DDR SDRAM? (И наоборот – DDR в слоты SDR?)
Нет. Хотя они и одинаковы по длине – на этом их сходство и заканчивается. Вот их отличия:
1. Номинальные напряжения питания: 3.3 В – для SDR и 2.5-2.7 В – для DDR
2. Количество контактов: 168 – SDR и 184 – DDR
3. Ключи в нижней части модуля (в полосе контактов): 2 – SDR и 1 – DDR
4. Ключи по бокам модуля (под защёлки): 1 – SDR и 2 – DDR
Вставить модуль в не предназначенный для него слот, конечно, можно, но доступно это только очень сильным и невнимательным.

Ставлю в материнскую плату 512 МБ модуль, а показывает 256. Что за глюки?
Актуально для старых материнских плат, в которые пытаются воткнуть новую память. Причин две:
1. Материнская плата не поддерживает модули данного объёма.
2. Материнская плата не поддерживает модули данной логической организации.
Объяснение второго пункта "на пальцах": ячейки в памяти считываются по "строкам" и "столбцам"; модуль 64 МБ условно может быть организован как 8х8, так и 4х16 или 2х32 мегабайт... Решение 2х32 - слишком экзотично, и инженеры исключают его поддержку, удешевляя плату – логично полагая, что модуль 16х16 (256) – вполне достаточен для нужд данной платы... И поэтому они ставят ограничение на размерность модуля – 16х16. Ну, а когда прогресс приносит нам новую память, и мы втыкаем 512 (16х32), то материнская плата вполне закономерно не видит половины строк или столбцов – она просто не подозревает об их существовании...
Ещё такое может быть связано с тем, что материнская плата некорректно обрабатывает количество банков в модуле (или просто не поддерживает нужное их количество).
Чаще всего такой глюк проявляется на односторонних модулях большой ёмкости, причём – чем меньше чипов на модуле (то есть – они более ёмкие), тем больше его вероятность.

Ставлю в материнскую плату 128 МБ модуль, а показывает 512. Что это?
Это глюк некоторых Intel'овских плат – у них идиосинкразия к определённым модулям. Причём закономерность установить не удалось – те же самые модули в других платах работают прекрасно.
Глюк этот выглядит просто потрясающе: при имеющихся трёх слотах для памяти (один заполнен, два пустые), BIOS показывает четыре слота, причём – все "заполненные"!

На моей материнской плате есть слоты и для SDR SDRAM и для DDR SDRAM, но вместе эти модули не гонятся. Почему?
Потому, что для SDR SDRAM уже достигнута максимальная частота – такие системы проектировались под PC133 и DDR266, и других общих частот у них быть не может (потому, что ни PC166, ни DDR200 официально не выпускались).
Кроме того, не стОит забывать, что модули с различными типами организации при работе вместе зачастую очень плохо разгоняются. (см. следующий вопрос о разнотипных модулях).

При работе в одной связке разных модулей наблюдаются глюки. Из-за чего?
Из-за того, что разные модули имеют разные характеристики, под которые должен "подстраиваться" контроллер памяти. Если он будет пытаться угодить сразу всем модулям, то работа будет возможна лишь на скорости самого медленного модуля (это относится и к частоте, и к таймингам). Если же он будет работать в жёстко заданном режиме разгона, то часть модулей не успеет исполнить его команды и будет глючить.
Кроме того, некоторые контроллеры определяют логическую организацию памяти не по всем модулям, а только по нулевому, при этом могут появиться "фантомные" мегабайты, а чаще – доля объёма памяти "пропадает".

Что такое двухканальная память?
Не бывает двухканальной памяти!!! Бывают двухканальные материнские платы – точно так же, как бывают двухпроцессорные. Наличие двух каналов памяти на материнской плате позволяет обращаться одновременно к двум модулям. Для реализации этого режима нужно два или четыре модуля памяти, желательно – идентичных.

Как включить двухканальный режим?
Вручную - никак. Точнее - он включается сам, если обнаруживает модули памяти в слотах, относящихся к разным каналам. Слоты, в которые рекомендуется ставить модули из одной "пары", обозначаются одним цветом, слоты для другой "пары" - другим; то есть - первую пару модулей нужно ставить в слоты одного цвета, чтобы включился двухканальный режим.
Если не включился - попробуйте переставить модули в другие слоты.

Я задействовал двухканальный режим, но что-то не заметил ощутимого прироста производительности. Почему?
В теории два канала дают в два раза больше производительности подсистемы памяти; на практике результаты скромнее – от 1% до 20% (в зависимости от приложения). При использовании интегрированного видеоадаптера его эффективность может возрасти на 70-100%.
Помимо этого большую роль играет ЦП – для AMD прирост от двухканальности практически незаметен на FSB




bemz@ вне форума  
Digg this Post!Bookmark Post in Technorati
Ответить с цитированием
29.07.2004, 07:12
Техник
реклама
По умолчанию

Старый 16.09.2013, 23:07   #2
Super Moderator
 
Регистрация: 12.09.2013
Сообщений: 760
По умолчанию

Раньше тоже очень много шарил по интернету в поисках подобной информации, а сейчас все само собой забылось. Я думаю этому послужило поступление в продажу очень мощных процессоров, которые и без разгона тянут любую новую игрушку хоть в два окна. Раньше было все по другому
spiritpro вне форума  
Digg this Post!Bookmark Post in Technorati
Ответить с цитированием
Старый 28.06.2016, 11:52   #3
Пользователи
 
Аватар для max81
 
Регистрация: 09.06.2016
Сообщений: 97
По умолчанию Re: FAQ по разгону оперативной памяти

А зачем разгонять память? Я понимаю если у вас не такая быстрая, то да, но если у вас 1600, то разгон мало что даст... ну пару кадров и все!!
max81 вне форума  
Digg this Post!Bookmark Post in Technorati
Ответить с цитированием
Старый 10.09.2016, 11:02   #4
Пользователи
 
Аватар для mark1989
 
Регистрация: 02.07.2016
Сообщений: 90
По умолчанию Re: FAQ по разгону оперативной памяти

Разгон памяти не так эффективен как кажется. Уж лучше гнать проц, а память ставить 1600 на 8 гигов.
mark1989 вне форума  
Digg this Post!Bookmark Post in Technorati
Ответить с цитированием
Ответ


Опции темы
Опции просмотра

Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.
Trackbacks are Вкл.
Pingbacks are Вкл.
Refbacks are Вкл.



Текущее время: 20:47. Часовой пояс GMT.


Powered by vBulletin® Version 3.8.7
Copyright ©2000 - 2019, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot
Content Relevant URLs by vBSEO 3.5.0 RC2